Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

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Manufacturer from China
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Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.
シティ:shanghai
省/州:shanghai
国/地域:china
連絡窓口:Xiwen Bai (Ciel)
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5*10mm2 M表面Un-Doped Nタイプの支えがないGaNの単結晶の基質の抵抗< 0.05 Ω·cm力装置/レーザー

5*10mm2 M表面Un-Doped Nタイプの支えがないGaNの単結晶の基質の抵抗< 0.05 Ω·cm力装置/レーザー
  • 5*10mm2 M表面Un-Doped Nタイプの支えがないGaNの単結晶の基質の抵抗< 0.05 Ω·cm力装置/レーザー
  • 5*10mm2 M表面Un-Doped Nタイプの支えがないGaNの単結晶の基質の抵抗< 0.05 Ω·cm力装置/レーザー
  • 5*10mm2 M表面Un-Doped Nタイプの支えがないGaNの単結晶の基質の抵抗< 0.05 Ω·cm力装置/レーザー
  • 5*10mm2 M表面Un-Doped Nタイプの支えがないGaNの単結晶の基質の抵抗< 0.05 Ω·cm力装置/レーザー
製品の詳細
5*10mm2 M表面Un-doped nタイプの支えがないGaNの単結晶の基質の抵抗 < 0=""> 概観 GaNのこれらのウエファーは電気自動車のためのプロジェクター光源、インバーター、および他の適用の使用のための前例のないultra-bright半導体レーザーそして高性能力装置を実現する。 特...
製品詳細図 →