Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

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Manufacturer from China
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企業との接触
Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.
シティ:shanghai
省/州:shanghai
国/地域:china
連絡窓口:Xiwen Bai (Ciel)
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5*10mm2表面Un-doped nタイプの支えがないGaNの単結晶の基質の抵抗< 0.05 Ω·cm力装置/レーザー

5*10mm2表面Un-doped nタイプの支えがないGaNの単結晶の基質の抵抗< 0.05 Ω·cm力装置/レーザー
  • 5*10mm2表面Un-doped nタイプの支えがないGaNの単結晶の基質の抵抗< 0.05 Ω·cm力装置/レーザー
  • 5*10mm2表面Un-doped nタイプの支えがないGaNの単結晶の基質の抵抗< 0.05 Ω·cm力装置/レーザー
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  • 5*10mm2表面Un-doped nタイプの支えがないGaNの単結晶の基質の抵抗< 0.05 Ω·cm力装置/レーザー
製品の詳細
5*10mm2表面Un-doped nタイプの支えがないGaNの単結晶の基質の抵抗 < 0=""> 概観 出力密度はケイ素と比較されるガリウム窒化物装置でGaNに大いにより高い転換の頻度を支える容量があるので物非常に改善される。それにまた高温を支える高められた機能がある。 表面支えがないGaNの基質 ...
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