Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

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Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.
シティ:shanghai
省/州:shanghai
国/地域:china
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2 インチ C 面 Fe ドープ SI タイプ自立型 GaN 単結晶基板 抵抗率 > 10⁶ Ω·cm RF デバイス

2 インチ C 面 Fe ドープ SI タイプ自立型 GaN 単結晶基板 抵抗率 > 10⁶ Ω·cm RF デバイス
  • 2 インチ C 面 Fe ドープ SI タイプ自立型 GaN 単結晶基板 抵抗率 > 10⁶ Ω·cm RF デバイス
  • 2 インチ C 面 Fe ドープ SI タイプ自立型 GaN 単結晶基板 抵抗率 > 10⁶ Ω·cm RF デバイス
  • 2 インチ C 面 Fe ドープ SI タイプ自立型 GaN 単結晶基板 抵抗率 > 10⁶ Ω·cm RF デバイス
  • 2 インチ C 面 Fe ドープ SI タイプ自立型 GaN 単結晶基板 抵抗率 > 10⁶ Ω·cm RF デバイス
製品の詳細
2inch C面FeドープSI型自立GaN単結晶基板 抵抗率>106Ω・cm RFデバイス 概要 窒化ガリウム (GaN) エピタキシャルウェーハ (エピウェーハ)。シリコン基板、サファイア基板、炭化ケイ素 (SiC) 基板などのさまざまな基板上の GaN 高電子移動度トランジスタ (HEMT) ウ...
製品詳細図 →