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Yougou Electronics (Shenzhen) Co., Ltd.

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電子工学のためのNチャネル40WのトランジスターIC破片FQPF6N60C MOSFET

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型式番号 :FQPF6N60C

部品番号 :FQPF6N60C

タイプ :MOSFET

パッケージ :TO-220-3

トランジスター極性 :N-Channel

Pd -電力損失 :40W

条件 :新しい

ストック :ストック

最低注文量 :1

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高性能電子工学のための強力なFQPF6N60C MOSFETのトランジスター

優秀な電気適用のための強く、信頼できる部品

あなたの電子デバイスのための強く、高性能MOSFETのトランジスターを捜すことか。FQPF6N60Cよりそれ以上に見てはいけない。このトランジスターはそれに広い応用範囲のための上の選択をする例外的な電気性能を提供するように設計されている。6Aの最高の下水管の流れおよび600Vの最高の電圧を使うと、FQPF6N60Cは最もデマンドが高い適用を容易に扱うことができる。その低いオン州の抵抗および優秀な転換の性能あなたの装置が効率的かつ確実に作動することを確認するため。

高温および極限状態に抗するために造られてこのトランジスターは強い材料および先端技術と組み立てられる。その低い熱抵抗はそれに高性能電子工学のための信頼できる選択をする有効な熱放散および長続きがする性能を保障する。新しい電子設計に取り組むか、または既存の装置を修理しているかどうか、FQPF6N60Cは新しい高さにあなたの電気性能を上げる強力な、信頼できる部品である。あなたのを今日発注し、あなたの電子工学のプロジェクトの優秀な性能そして信頼性を経験しなさい。

技術的な特徴:

技術:Si
様式の取付け:穴を通して
パッケージ/場合:TO-220-3
トランジスター極性:N-Channel
チャネルの数:1つのチャネル
Vds -下水管源の絶縁破壊電圧:600ボルト
ID -連続的な下水管の流れ:5.5 A
Rdsのオン下水管源の抵抗:2オーム
Vgs -ゲート源の電圧:- 30ボルト、+ 30ボルト
最低の実用温度:- 55 C
最高使用可能温度:+ 150 C
Pd -電力損失:40 W
チャネルモード:強化
シリーズ:FQPF6N60C
包装:管
ブランド:onsemi/フェアチャイルド
構成:単一
落下時間:45 ns
前方相互コンダクタンス-分:4.8 S
高さ:16.3 mm
長さ:10.67 mm
製品タイプ:MOSFET
上昇時間:45 ns

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