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3 年
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あなたの力の適用のための強力なMOSFETを捜せば、IRF640NPBFはあなたのための完全な選択である。この高性能N-channel強化モード トランジスターはちょうど0.18オームの低いオン州の抵抗の優秀な性能を提供するように設計されている。このMOSFETはそれに高い現在の処理を要求する適用のための理想的な選択をする18アンペアの最高の流れを扱うことができる。さらに、200ボルトの最高の電圧評価は重負荷の下で信頼できる操作を、保障する。険しく、耐久の設計を特色にして、IRF640NPBFは持続するために造られる。そのパッケージは優秀な熱性能のための電子工学分野で広く知られているTO-220ABである。これは意味する故障していないでことを高温に抗できることを。
このMOSFETはまたそれをあらゆる力の適用で非常に能率的にさせる速い切り替え速度を特色にする。プラス、取付けることは容易で、運動制御、切換え調整装置、ソレノイドの運転者、そして多くを含むさまざまな適用で、使用することができ。
要約すると、あなたの力の適用のための強力なMOSFETを捜せば、IRF640NPBFは優秀な選択である。顕著な特徴および強い設計を使うと、信頼でき、有効な性能をこの先何年もの間与えることを確かめる場合もある。
技術的な特徴: