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3 年
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製品の説明
Cypress CY14V101LA/CY14V101NAは各メモリ セルの不揮発性要素との速く静的なRAM、である。記憶は8ビットの128のKバイトそれぞれか16ビットの64のKの単語それぞれとして組織される。埋め込まれた不揮発性要素はQuantumTrapの技術を組み込み、世界の最も信頼できる不揮発性メモリを作り出す。SRAMは独立した不揮発性データはQuantumTrapの信頼性が高い細胞に存在するが、無限読書を提供し、周期を書く。SRAMからの不揮発性要素（店操作）へのデータ転送は力で自動的に起こる。パワーアップで、データは不揮発性メモリからのSRAM （リコール操作）に元通りになる。店およびリコール操作は両方ソフトウェア制御の下でまた利用できる。
プロダクト特性
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プロダクト状態
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活動的
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記憶タイプ
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不揮発性
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記憶フォーマット
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NVSRAM
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技術
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NVSRAM （不揮発性SRAM）
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記憶容量
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1Mbit
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記憶構成
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64K X 16
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記憶インターフェイス
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平行
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周期にタイムの単語、ページを書きなさい
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45ns
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アクセス時間
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45 ns
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電圧-供給
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2.7V | 3.6V
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実用温度
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-40°C | 85°C （TA）
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タイプの取付け
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表面の台紙
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パッケージ/場合
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48-TFBGA
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製造者装置パッケージ
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48-FBGA （6x10）
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基礎プロダクト数
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CY14V101
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