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製品の説明
このMOSFETはオン州の抵抗（RDS設計されていた（）最小にするように）を今までのところではそれを作る優秀な転換の性能を維持するため
高性能力管理適用のための理想。
プロダクト特性
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プロダクト状態
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活動的
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FETのタイプ
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N-Channel
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技術
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MOSFET （金属酸化物）
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流出させなさいに源の電圧（Vdss）
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100ボルト
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現在-連続的な下水管（ID） @ 25°C
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700mA （Ta）
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ドライブ電圧（最高Rds、最低Rds）
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6V、10V
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（最高） @ ID、VgsのRds
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700mOhm @ 1.5A、10V
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Vgs （（最高） Th） @ ID
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4V @ 250µA
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ゲート充満（（最高） Qg） @ Vgs
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2.9 NC @ 10ボルト
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Vgs （最高）
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±20V
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入れられたキャパシタンス（（最高） Ciss） @ Vds
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138 pF @ 50ボルト
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FETの特徴
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-
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電力損失（最高）
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625mW （Ta）
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実用温度
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-55°C | 150°C （TJ）
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タイプの取付け
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表面の台紙
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製造者装置パッケージ
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SOT-23-3
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パッケージ/場合
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TO-236-3、SC-59、SOT-23-3
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基礎プロダクト数
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ZXMN10
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