STJK(HK) ELECTRONICS CO.,LIMITED

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TE28F160B3TD70抜け目がなくプログラム可能な集積回路16Mbit平行70Ns 48-TSOP

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シティ:hong kong
国/地域:china
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TE28F160B3TD70抜け目がなくプログラム可能な集積回路16Mbit平行70Ns 48-TSOP

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型式番号 :TE28F160B3TD70
最低順序量 :>=1pcs
供給の能力 :Day+pcs+1-2daysごとの100000のエーカー/エーカー
受渡し時間 :2-3Days
包装の細部 :テープ及び巻き枠(TR)の切口テープ(CT) Digi巻き枠
原産地 :中国
支払の言葉 :L/C、D/A、D/P、T/T、ウェスタン・ユニオン、
記述 :IC フラッシュ 16MBIT パラレル 48TSOP
タイプの取付け :表面の台紙
実用温度 :-40°C | 85°C
パッケージ/場合 :TSOP48
電圧-供給 :2.7V | 3.6V
電流 - 充電中 :定数 - プログラム可能
メモリ構成 :平行
記憶容量 :16Mbit
技術 :フラッシュ - ブート ブロック
プロダクト状態 :活動的
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TE28F160B3TD70抜け目がなくプログラム可能なICの破片-ブート ブロックの記憶IC 16Mbit平行70 Ns 48-TSOP

製品の説明

部品番号TE28F160B3TD70はマイクロン・テクノロジ株式会社によって製造され、Stjkによって配られる。電子プロダクトの一流のディストリビューターの1人として、私達は世界の上の製造業者からの多くの電子部品を運ぶ。

TE28F160B3TD70のより多くの情報のために詳細仕様、引用語句を、調達期間、支払の言葉を、もっと、私達に連絡することを躊躇してはいけない。あなたの照会を処理するためには、あなたのメッセージに量TE28F160B3TD70を加えなさい。引用のためのstjkelec@hotmail.comに電子メールを今送りなさい。

プロダクト特性

記憶タイプ
不揮発性
記憶フォーマット
フラッシュ
技術
フラッシュ-ブート ブロック
記憶容量
16Mbit
記憶構成
1M x 16
記憶インターフェイス
平行
周期にタイムの単語、ページを書きなさい
70ns
アクセス時間
70 ns
電圧-供給
2.7V | 3.6V
実用温度
-40°C | 85°C (TA)
タイプの取付け
表面の台紙
パッケージ/場合
48-TFSOP (0.724"、18.40mmの幅)
製造者装置パッケージ
48-TSOP
基礎プロダクト数
28F160B3

TE28F160B3TD70抜け目がなくプログラム可能な集積回路16Mbit平行70Ns 48-TSOP

TE28F160B3TD70抜け目がなくプログラム可能な集積回路16Mbit平行70Ns 48-TSOP

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