タイプ :ICチップ,フィールド効果トランジスタ,IGBTトランジスタ
動作温度 :スタンダード
シリーズ :スタンダード
マウントタイプ :スタンダード
記述 :/
モデル番号 :mje13003
産地 :広東,中国
D/C :22+
パッケージの種類 :穴中
適用する :スタンダード
供給者の種類 :ほか
相互参照 :スタンダード
利用できる媒体 :ほか
ブランド :トランジスター
現在-コレクター（（最高） IC） :スタンダード
電圧-コレクターのエミッターの故障（最高） :スタンダード
Vceの飽和（最高） @ Ib、IC :スタンダード
現在-コレクターの締切り（最高） :スタンダード
DCの現在の利益（hFE） （分） @ IC、Vce :スタンダード
パワー最高 :スタンダード
頻度-転移 :スタンダード
パッケージ/ケース :スタンダード
抵抗器-基盤（R1） :スタンダード
抵抗器-エミッターの基盤（R2） :スタンダード
FETのタイプ :スタンダード
FETの特徴 :スタンダード
流出させなさいに源の電圧（Vdss） :スタンダード
現在-連続的な下水管（ID） @ 25°C :スタンダード
（最高） @ ID、VgsのRds :スタンダード
Vgs （（最高） Th） @ ID :スタンダード
ゲート充満（（最高） Qg） @ Vgs :スタンダード
入れられたキャパシタンス（（最高） Ciss） @ Vds :スタンダード
頻度 :スタンダード
現在の評価（Amps） :スタンダード
雑音指数 :スタンダード
パワー出力 :スタンダード
評価される電圧- :スタンダード
ドライブ電圧（最高Rds、最低Rds） :スタンダード
Vgs （最高） :スタンダード
IGBTのタイプ :/
構成 :/
Vce （） （最高） @ Vge、IC :/
入れられたキャパシタンス（Cies） @ Vce :/
インプット :/
NTCのサーミスター :/
電圧-故障（V （BR） GSS） :/
現在-下水管（Idss） @ Vds （Vgs=0） :/
現在の下水管（ID最高） - :/
電圧-締切り（VGS） @ ID :/
抵抗- RDS （） :/
電圧 :/
電圧-出力 :/
電圧-オフセット（Vt） :/
陽極漏出（Igao）に現在-ゲート :/
現在-谷（iv） :/
現在-ピーク :/
申請 :/
トランジスター タイプ :mrf150 rf パワートランジスタ
パッケージの詳細 :帯電防止包装
港 :シェンゼン
供給能力 :1000の部分/部分每の 週
最低注文量 :10個
more
