Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage :- 3 V
Technology :GaAs
Product Category :RF JFET Transistors
Mounting Style :SMD/SMT
Gain :10 dB
Transistor Type :pHEMT
Pd - Power Dissipation :180 mW
Package / Case :SOT-363
Maximum Operating Temperature :+ 150 C
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage :3 V
Packaging :Reel
Id - Continuous Drain Current :40 mA
Manufacturer :Avago / Broadcom
Description :RF JFET Transistors Transistor GaAs High Frequency
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製品の説明を表示
ATF-36163-TR1Gは、Avago/Broadcomから、元および新しい部品にある、私達がグローバル市場で持っている競争価格を提供するRF JFET Transistors.whatである。プロダクトについての詳細を知るか、または低価格を適用することを望んだら私達に「オンライン雑談によって」連絡するか、または私達に引用を送りなさい!