Transistor Polarity :N-Channel
Technology :GaN SiC
Product Category :RF JFET Transistors
Mounting Style :SMD/SMT
Gain :11 dB
Transistor Type :HEMT
Output Power :22 W
Package / Case :QFN-20
Maximum Operating Temperature :+ 225 C
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage :32 V
Packaging :Tray
Id - Continuous Drain Current :1.8 A
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage :- 2.7 V
Pd - Power Dissipation :49 W
Manufacturer :Qorvo
Description :RF JFET Transistors 8-12GHz 25W GaN PAE 50% Gain 11dB
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