Transistor Polarity :N-Channel
Technology :GaN SiC
Product Category :RF JFET Transistors
Mounting Style :SMD/SMT
Gain :17.5 dB
Transistor Type :HEMT
Output Power :162 W
Package / Case :NI-360
Maximum Operating Temperature :+ 85 C
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage :50 V
Packaging :Tray
Id - Continuous Drain Current :4 A
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage :145 V
Pd - Power Dissipation :127 W
Manufacturer :Qorvo
Description :RF JFET Transistors DC-3.2GHz 120W 50V SSG 17.5dB GaN
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