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Transistor Polarity :N-Channel

Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage :- 30 V

Product Category :JFET

Mounting Style :SMD/SMT

Id - Continuous Drain Current :6.5 mA

Drain-Source Current at Vgs=0 :1.2 mA

Pd - Power Dissipation :100 mW

Package / Case :SC-70-3

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage :10 V

Packaging :Reel

Configuration :Single

Series :2SK879

Manufacturer :Toshiba

Description :JFET Junction FET N-Ch 0.3 to 6.5mA 10mA

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製品の説明を表示

2SK879-Y （TE85LのF）は、東芝から、元および新しい部品にある、私達がグローバル市場で持っている競争価格を提供するJFET.whatである。プロダクトについての詳細を知るか、または低価格を適用することを望んだら私達に「オンライン雑談によって」連絡するか、または私達に引用を送りなさい!

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