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北京のシルク ロードの企業経営サービスCo.、株式会社

Beijing Silk Road Enterprise Management Services Co.,LTD

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Gate-Emitter Leakage Current :100 nA
Product Category :IGBT Transistors
Mounting Style :Through Hole
Continuous Collector Current at 25 C :80 A
Pd - Power Dissipation :305 W
Collector- Emitter Voltage VCEO Max :650 V
Package / Case :TO-247-3
Maximum Operating Temperature :+ 175 C
Maximum Gate Emitter Voltage :20 V
Packaging :Tube
Configuration :Single
Collector-Emitter Saturation Voltage :1.9 V
Manufacturer :Infineon Technologies
Description :IGBT Transistors IGBT PRODUCTS
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IKW50N65F5AXKSA1は、インフィニオン・テクノロジーズから、元および新しい部品にある、私達がグローバル市場で持っている競争価格を提供するIGBT Transistors.whatである。プロダクトについての詳細を知るか、または低価格を適用することを望んだら私達に「オンライン雑談によって」連絡するか、または私達に引用を送りなさい!
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BD677

K9F1208

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