Gate-Emitter Leakage Current  :+/- 100 nA                                        
                                                                            
                                            Product Category  :IGBT Transistors                                        
                                                                            
                                            Mounting Style  :SMD/SMT                                        
                                                                            
                                            Continuous Collector Current at 25 C  :11 A                                        
                                                                            
                                            Pd - Power Dissipation  :58 W                                        
                                                                            
                                            Collector- Emitter Voltage VCEO Max  :600 V                                        
                                                                            
                                            Package / Case  :D-PAK-3                                        
                                                                            
                                            Maximum Operating Temperature  :+ 175 C                                        
                                                                            
                                            Maximum Gate Emitter Voltage  :+/- 30 V                                        
                                                                            
                                            Packaging  :Tube                                        
                                                                            
                                            Configuration  :Single                                        
                                                                            
                                            Collector-Emitter Saturation Voltage  :1.75 V                                        
                                                                            
                                            Manufacturer  :IR / Infineon                                        
                                                                            
                                            Description :IGBT Transistors 600V TRENCH ULTRAFAST IGBT                                        
                                                                                            more
                                                        
                         
                     
                    
                                            
                 
             
            
            
                
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                                    IRGS4607DPBFは、IR/Infineonから、元および新しい部品にある、私達がグローバル市場で持っている競争価格を提供するIGBT Transistors.whatである。プロダクトについての詳細を知るか、または低価格を適用することを望んだら私達に「オンライン雑談によって」連絡するか、または私達に引用を送りなさい!