Gate-Emitter Leakage Current :100 nA
Product Category :IGBT Transistors
Mounting Style :SMD/SMT
Continuous Collector Current at 25 C :60 A
Pd - Power Dissipation :300 W
Collector- Emitter Voltage VCEO Max :1.2 kV
Package / Case :TO-263-3
Maximum Operating Temperature :+ 150 C
Maximum Gate Emitter Voltage :+/- 20 V
Packaging :Tube
Configuration :Single
Collector-Emitter Saturation Voltage :2.96 V
Manufacturer :IXYS
Description :IGBT Transistors GenX3 1200V IGBT
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製品の説明を表示
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