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BD435G

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Transistor Polarity :NPN

Product Category :Bipolar Transistors - BJT

Mounting Style :Through Hole

Maximum DC Collector Current :4 A

Collector- Emitter Voltage VCEO Max :32 V

Package / Case :TO-225-3

Maximum Operating Temperature :+ 150 C

Gain Bandwidth Product fT :3 MHz

Configuration :Single

Collector- Base Voltage VCBO :32 V

Series :BD435

Emitter- Base Voltage VEBO :5 V

Collector-Emitter Saturation Voltage :500 mV

Manufacturer :onsemi

Description :Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 4A 22V

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製品の説明を表示

BD435Gは、onsemiから、両極トランジスターである-元および新しい部品にある私達が提供するBJT.whatにグローバル市場で競争価格がある。プロダクトについての詳細を知るか、または低価格を適用することを望んだら私達に「オンライン雑談によって」連絡するか、または私達に引用を送りなさい!

商品のタグ：

BD435G

BD435

gb t18287-2000

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