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RFP12N10L

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Category :Discrete Semiconductor Products Transistors FETs, MOSFETs Single FETs, MOSFETs

FET Feature :-

Product Status :Active

Mounting Type :Through Hole

Vgs(th) (Max) @ Id :2V @ 250µA

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds :900 pF @ 25 V

Series :-

Vgs (Max) :±10V

Package :Tube

Supplier Device Package :TO-220-3

Rds On (Max) @ Id, Vgs :200mOhm @ 12A, 5V

Mfr :onsemi

Operating Temperature :-55°C ~ 150°C (TJ)

FET Type :N-Channel

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) :5V

Power Dissipation (Max) :60W (Tc)

Package / Case :TO-220-3

Drain to Source Voltage (Vdss) :100 V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C :12A (Tc)

Technology :MOSFET (Metal Oxide)

Base Product Number :RFP12N10

Description :MOSFET N-CH 100V 12A TO220-3

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rf 1101

pmr446 radios

rfid 125

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RFP12N10L

AC DCのコンバーター、オフ・ラインスイッチ

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DSP （ディジタル信号プロセッサ）

FPGAs （システム内プログラム可能なゲート・アレー）

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rf 1101

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