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FDN337N

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FDN337N

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カテゴリー :離散半導体製品 トランジスタ FET,MOSFET シングルFET,MOSFET
Vgs(th) (最大) @ Id :1V @ 250µA
パッケージ/ケース :TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
Rdsオン (最大) @ Id, Vgs :65mOhm @ 2.2A,4.5V
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Nチャンネル 30 V 2.2A (Ta) 500mW (Ta) 表面マウント SOT-23-3
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