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PMV20ENR

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PMV20ENR

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カテゴリー :離散半導体製品 トランジスタ FET,MOSFET シングルFET,MOSFET
FETの特徴 :-
Vgs(th) (最大) @ Id :2V @ 250μA
動作温度 :-55°C ~ 150°C (TJ)
パッケージ/ケース :TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
ゲートチャージ (Qg) (最大) @ Vgs :10.8 nC @ 10V
Rdsオン (最大) @ Id, Vgs :21mOhm @ 6A, 10V
FETタイプ :Nチャンネル
駆動電圧 (最大Rdsオン,最小Rdsオン) :4.5V,10V
パッケージ :テープ&ロール (TR) 切断テープ (CT) Digi-Reel®
流出電圧から源電圧 (Vdss) :30V
Vgs (最大) :±20V
製品の状況 :アクティブ
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds :435 pF @ 15 V
マウントタイプ :表面マウント
シリーズ :-
供給者のデバイスパッケージ :TO-236AB
Mfr :Nexperia USA Inc.
電流 - 連続流出 (Id) @ 25°C :6A (Ta)
電力損失(最高) :510mW (Ta),6.94W (Tc)
テクノロジー :MOSFET (金属酸化物)
基本製品番号 :PMV20
記述 :MOSFET N-CH 30V 6A TO236AB
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Nチャンネル 30 V 6A (Ta) 510mW (Ta), 6.94W (Tc) 表面マウント TO-236AB
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