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FQP12P10

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FQP12P10

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トランジスター極性 :P-Channel
テクノロジー :Si
ID -連続的な下水管の流れ :- 11.5A
マウントスタイル :穴を抜ける
商号 :QFET
最低動作温度 :- 55 C
パッケージ/ケース :TO-220-3
最大動作温度 :+ 175 C
チャネル モード :強化
Vds -下水管源の絶縁破壊電圧 :- 100V
パッケージ :トューブ
製品カテゴリー :MOSFET
チャンネル数 :1 チャンネル
Vgs -ゲート源の電圧 :30V
Rdsのオン下水管源の抵抗 :290mOhms
製造者 :フェアチャイルド半導体
記述 :MOSFET 100V PチャネルQFET
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