FDC6506P
供給者のデバイスパッケージ :SuperSOT™-6
製品カテゴリー :MOSFET
最低の量 :3000
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds :190pF @ 15V
パッケージ/ケース :SOT-23-6 薄型,TSOT-23-6
部品のステータス :アクティブ
電流 - 連続流出 (Id) @ 25°C :1.8A
パッケージ :テープ&リール (TR)
動作温度 :-55°C ~ 150°C (TJ)
FETタイプ :2 P-Channel (二重)
FETの特徴 :論理のレベルのゲート
流出電圧から源電圧 (Vdss) :30V
マウントタイプ :表面マウント
ゲートチャージ (Qg) (最大) @ Vgs :3.5nC @ 10V
Rdsオン (最大) @ Id, Vgs :170mOhm @ 1.8A, 10V
パワー - マックス :700mW
Vgs(th) (最大) @ Id :3V @ 250µA
シリーズ :PowerTrench®
製造者 :一半
記述 :MOSFET 2P-CH 30V 1.8A SSOT6
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