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IRLHS2242TRPBF

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IRLHS2242TRPBF

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製品カテゴリー :MOSFET
Vgs (最大) :±12V
電流 - 連続流出 (Id) @ 25°C :7.2A (Ta),15A (Tc)
FETタイプ :P-Channel
マウントタイプ :表面マウント
ゲートチャージ (Qg) (最大) @ Vgs :12nC @ 10V
製造者 :インフィニオン・テクノロジーズ
最低の量 :4000
駆動電圧 (最大Rdsオン,最小Rdsオン) :2.5V、4.5V
動作温度 :-55°C ~ 150°C (TJ)
FETの特徴 :-
シリーズ :HEXFET®
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds :877pF @ 10V
供給者のデバイスパッケージ :6PQFN (2x2)
部品のステータス :アクティブ
パッケージ :テープ&リール (TR)
Rdsオン (最大) @ Id, Vgs :31mOhm @ 8.5A,4.5V
電力損失(最高) :2.1W (Ta),9.6W (Tc)
パッケージ/ケース :6 パワーVDFN
テクノロジー :MOSFET (金属酸化物)
Vgs(th) (最大) @ Id :1.1V @ 10µA
流出電圧から源電圧 (Vdss) :20V
記述 :MOSFET P-CH 20V 15A 2X2 PQFN
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