FF450R12KT4
ゲート エミッターの漏出流れ :400 nA
製品カテゴリー :IGBTモジュール
25 Cの連続的なコレクター流れ :580A
Pd - エネルギー分散 :2400 W
最高コレクターのエミッターの電圧VCEO :1200V
パッケージ/ケース :62のmm
最大動作温度 :+150C
パッケージ :散装品
構成 :双重
Collector-Emitterの飽和電圧 :2.1 V
製品 :IGBTのケイ素 モジュール
製造者 :インフィニオン・テクノロジーズ
記述 :IGBTモジュールN-CH 1.2KV 580A
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