Bomkey ( HK ) Electronic Co.,Limited

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DRA5L14Y0L

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DRA5L14Y0L

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カテゴリー :離散半導体製品 トランジスタ 双極性 (BJT) 単一のバイアスバイアスバイアストランジスタ
電流 - コレクター (Ic) (最大) :100MA
製品の状況 :時代遅れ
トランジスタタイプ :PNP - 偏見がある
マウントタイプ :表面マウント
パッケージ :テープ&ロール (TR) 切断テープ (CT) Digi-Reel®
シリーズ :-
Vce 飽和度 (最大) @ Ib, Ic :1.2V @ 330μA 50mA
電圧 - コレクターエミッター分解 (最大) :30V
供給者のデバイスパッケージ :SMini3 F2B
抵抗 - ベース (R1) :10のkOhms
Mfr :パナソニック電子部品
レジスタ - エミッターベース (R2) :47のkOhms
電流 - コレクターの切断値 (最大) :500nA
パワー - マックス :150 MW
パッケージ/ケース :SC-85
DC電流増幅 (hFE) (分) @ Ic, Vce :80 @ 5mA、10V
基本製品番号 :DRA5L14
説明 :トランスプレビアス PNP 150MW SMINI3
ストック :ストック
輸送方法 :LCL,AIR,FCL,エクスプレス
支払条件 :L/C、D/A、D/P、T/T、ウェスタンユニオン、マネーグラム
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プレバイアスバイアスバイアストランジスタ (BJT) PNP - プレバイアスバイアス 30 V 100 mA 150 mW 表面マウント SMini3-F2-B
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