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IS21ES08G-JCLIのeMMC 8GB 3.3V 200MhzのeMMC否定論履積のフラッシュ・メモリ

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シティ:shenzhen
省/州:guangdong
国/地域:china
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IS21ES08G-JCLIのeMMC 8GB 3.3V 200MhzのeMMC否定論履積のフラッシュ・メモリ

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型式番号 :IS21ES08G-JCLI
原産地 :
最低順序量 :1
支払の言葉 :T/T
供給の能力 :100,000
受渡し時間 :1-3working幾日
包装の細部 :カートン箱
記憶容量 :8 GB
支えられた読書 :250 MB/s
作動の供給電圧 :2.7V~3.6V
支えられる書きなさい :27.3 MB/s
FPQ :152
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IS21ES08G-JCLIのeMMC 8GB 3.3V 200MhzのeMMC否定論履積のフラッシュ・メモリのデータ記憶

 

フラッシュ-否定論履積(MLC)の記憶IC 64Gbit eMMC 200 MHz 153-VFBGA (11.5x13)

 

IS21ES08G-JCLI特徴

 

•eMMC 5.0インターフェイスとの包まれた否定論履積のフラッシュ・メモリ
•IS21/22ES08G:8Gigabyte
•eMMCの指定Ver.4.4、4.41、4.5、5.0と迎合的
•バス モード
- 高速eMMCの議定書
- クロック周波数:0-200MHz.
- 10ワイヤー バス(時計、1つのかまれた命令、8ビット・データ バス)およびハードウェア調整。
•3つのデータ・バス幅を支える:1つは(デフォルト)、4ビット、8ビットかんだ
- データ転送率:52Mbyte/sまで(52のMHzの8つの平行データ ラインを使用して)
- 単一のデータ転送速度:まで200Mbyte/s @ 200MHz (HS200)
- 二重データ転送速度:まで400Mbyte/s @ 200MHz (HS400)
•作動の電圧範囲:
- VCCQ = 1.8 V/3.3 V
- VCCの= 3.3ボルト
•サポートは装置が(pSLC)より高いのために疑似SLCように形成することができるモードを高めた
読み書き性能、持久力および信頼性。
•誤りが無いメモリー アクセス
- データ通信を保護する内部エラー修正 コード(ECC)
- 内部高められたデータ管理のアルゴリズム
- 突然の電源異常、データ内容のための安全更新操作からの固体保護

 

IS21ES08G-JCLI指定

 

eMMC
RoHS: 細部
IS21ES08G
8 GB
MLC
250 MB/s
27.3 MB/s
2.7 Vから3.6ボルト
- 40 C
+ 85 C
ブランド: 在庫の原物
敏感な湿気: はい
様式の取付け: SMD/SMT
パッケージ/場合: FBGA-153
プロダクト: eMMCの抜け目がないドライブ
製品タイプ: eMMC
工場パックの量: 152
下位範疇: 記憶及びデータ記憶
単位重量: 0.072361 oz

 

IS21ES08G-JCLIのeMMC 8GB 3.3V 200MhzのeMMC否定論履積のフラッシュ・メモリ

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