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SN65MLVD200ADRの集積回路の破片1/1のトランシーバー半分LVDS 8-SOIC
1/1のトランシーバー半分LVDS、分岐8-SOIC
SN65MLVD200ADRの特徴
100 Mbpsのクロック周波数まで率（1）に信号を送るための55-Ωへの低電圧の差動30-Ωライン・ドライバそして受信機50までのMHz
タイプ1の受信機は組み込むヒステリシス（SN65MLVD200A、SN65MLVD202A）の25 mVを
タイプ2の受信機は提供するOpen-Circuitおよび遊んでいバス状態（SN65MLVD204A、SN65MLVD205A）を検出するためにオフセット（100 mV）境界を
分岐データ交換のためのM-LVDS標準的なTIA/EIA-899に会うか、または超過する
改善された信号品質のための管理された運転者の出力電圧遷移時間
共通モード電圧範囲の3.4ボルトへの-1Vは暗騒音の2ボルトのデータ転送を可能にする
バスは不具ときの高いインピーダンスまたはVccを$1.5Vピンで止める
利用できる200-Mbps装置（SN65MLVD201、SN65MLVD203、SN65MLVD206、SN65MLVD207）
バスPin ESDの保護は8つのkVを超過する
利用できるパッケージ:- 8 Pin SOIC
SN65MLVD200A、SN65MLVD204A 14 Pin SOIC
SN65MLVD202A、SN65MLVD205A
SN65MLVD200、SN65MLVD202A、SN65MLVD204AおよびSN65MLVD205A装置への改善された代わり
SN65MLVD200ADRの指定
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Mfr
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テキサス・インスツルメント
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| パッケージ | テープ及び巻き枠 | |
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シリーズ
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-
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プロダクト
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SN65MLVD200ADR
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タイプ
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トランシーバー
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議定書
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分岐LVDS
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運転者/受信機の数
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1/1
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二重
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半分
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受信機ヒステリシス
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25 mV
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データ転送速度
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100Mbps
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電圧-供給
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3V | 3.6V
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実用温度
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-40°C | 85°C
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タイプの取付け
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表面の台紙
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パッケージ/場合
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8-SOIC （0.154"、3.90mmの幅）
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製造者装置パッケージ
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8-SOIC
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基礎プロダクト数
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65MLVD200
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範囲（−10 ̊
環境及び輸出分類
whのavck-
| 属性 | 記述 |
|---|---|
| RoHSの状態 | 迎合的なROHS3 |
| 湿気感受性のレベル（MSL） | 1 （無制限） |
| 範囲の状態 | 変化しないに達しなさい |
| ECCN | 5A991B1 |
| HTSUS | 8542.39.0001 |
SN65MLVD200ADRの適用
·、高速ローパワー、短い範囲Altemative
TIA/EIA-485に
·バックプレーンかケーブルで通信された分岐データおよび時計
伝達
·細胞基地局·セントラル・オフィス スイッチ·ネットワーク スイッチおよびルーター
