Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

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単一の側面の磨かれたGa2O3ウエファーの単結晶の基質

単一の側面の磨かれたGa2O3ウエファーの単結晶の基質
  • 単一の側面の磨かれたGa2O3ウエファーの単結晶の基質
製品の詳細
10x10mm2は(- 201)支えがないGa2O3の単結晶の基質プロダクト等級半導体材料の単一の磨く厚さ0.6~0.8mm FWHM<350arcsec、Ra≤0.3 nm光電子工学装置、絶縁層、および紫外線フィルターをFe添加した ガリウム酸化物(Ga2 O3)は大きいbandgapによる既存の...
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