製品 サプライヤー Sign in Register

Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

半導体産業のプロフェッショナルなワンストップ調達プラットフォームで,優れた品質と多様な製品と技術サービスを提供します

Manufacturer from China
正会員
4 年
ホーム 製品カタログ 会社概要 品質管理 お問い合わせ 引用を要求
日本語
ホーム / 製品 / Patterned Sapphire Substrates / 背部表面の粗さ0.8umへの1.2umはサファイアの基質の幅16mmを模造した /

show pictures

製品カテゴリ

GaNのエピタキシアル ウエファー

 [68]

Sicのエピタキシアル ウエファー

 [33]

GaAsエピウェーハ

 [15]

CVDダイヤモンド基板

 [15]

急速な熱焼きなましシステム

 [2]

ホール効果センサーテスター

 [3]

窒化アルミニウムのウエファー

 [21]

半導体レーザーの破片

 [10]

炭化ケイ素の水晶

 [12]

Ga2O3 ウエハー

 [13]

シリコンの薄片

 [26]

サファイアのウエファー

 [19]

模造されたサファイアの基質

 [10]

テフロン ウエファーのホールダー

 [1]

ウェーハダイシングマシン

 [5]
企業との接触
Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.
シティ：shanghai
省/州：shanghai
国/地域：china
連絡窓口：Xiwen Bai (Ciel)
表示連絡先の詳細
企業との接触

背部表面の粗さ0.8umへの1.2umはサファイアの基質の幅16mmを模造した
背部表面の粗さ0.8umへの1.2umはサファイアの基質の幅16mmを模造した
  • 背部表面の粗さ0.8umへの1.2umはサファイアの基質の幅16mmを模造した
製品の詳細
表面の粗さの0.8~1.2μm模造されたサファイアの基質の平らな端の幅16±1.0mm 2inchはサファイアの基質、LEDの破片、基質材料を模造した 模造されたサファイアの基質（PSS）はガリウム窒化物（GaN）の発光ダイオード（LEDS）を製造するのに使用されるマイクロ模造されたウエファーである...
製品詳細図 →
商品のタグ：
表面荒さ基準 2b 表面仕上げ 陶磁基板の痕跡幅

Home Products Suppliers About Us Contact Us Help Site Map 公司介绍 联系我们

Français Русский язык Español 日本語 Português

China Hot Products: A | B | C | D | E | F | G | H | I | J | K | L | M | N | O | P | Q | R | S | T | U | V | W | X | Y | Z | 0~9

Copyright © 2009-2025 Everychina.com. All rights reserved. 京ICP备09074326号-4