製品 サプライヤー Sign in Register

Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

半導体産業のプロフェッショナルなワンストップ調達プラットフォームで,優れた品質と多様な製品と技術サービスを提供します

Manufacturer from China
正会員
4 年
ホーム 製品カタログ 会社概要 品質管理 お問い合わせ 割当て要求
日本語
ホーム / 製品 / Silicon Carbide Crystal / 4H Politypeの単結晶の炭化ケイ素4" Pの等級Siの表面 /

show pictures

製品カテゴリ

GaNのエピタキシアル ウエファー

 [68]

Sicのエピタキシアル ウエファー

 [33]

GaAsエピウェーハ

 [15]

CVDダイヤモンド基板

 [15]

急速な熱焼きなましシステム

 [2]

ホール効果センサーテスター

 [3]

窒化アルミニウムのウエファー

 [21]

半導体レーザーの破片

 [10]

炭化ケイ素の水晶

 [12]

Ga2O3 ウエハー

 [13]

シリコンの薄片

 [26]

サファイアのウエファー

 [19]

模造されたサファイアの基質

 [10]

テフロン ウエファーのホールダー

 [1]

ウェーハダイシングマシン

 [5]
企業との接触
Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.
シティ：shanghai
省/州：shanghai
国/地域：china
連絡窓口：Xiwen Bai (Ciel)
表示連絡先の詳細
企業との接触

4H Politypeの単結晶の炭化ケイ素4" Pの等級Siの表面
4H Politypeの単結晶の炭化ケイ素4
  • 4H Politypeの単結晶の炭化ケイ素4
製品の詳細
JDZJ01-001-001 SiCの種結晶4" Pの等級のSi表面90°Cw.From第一次Flat±5° SiCの種結晶4" PGrade SiCの物理的な、電子特性はそれに短波の光電子工学のための一番の半導体抵抗力がある材料、高温、放射強力な/高周波電子デバイスをする。 6inch SiCのイ...
製品詳細図 →
商品のタグ：
シリコンカービッドガラス アルファシリコンカービード 陶磁器炭化ケイ素

Home Products Suppliers About Us Contact Us Help Site Map 公司介绍 联系我们

Français Русский язык Español 日本語 Português

China Hot Products: A | B | C | D | E | F | G | H | I | J | K | L | M | N | O | P | Q | R | S | T | U | V | W | X | Y | Z | 0~9

Copyright © 2009-2025 Everychina.com. All rights reserved. 京ICP备09074326号-4