100.0mm±0.5mm SiCは種結晶4"をPの等級0.015~0.028ohm.cm 18.0mm±2.0mm SiCの種結晶4" PGrade SiCで形作られる電子デバイスは本質的な伝導の効果から苦労なしでで高温ので広いエネルギーbandgapの非常に作動できる。また、この特性はSiC...

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