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Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

シティ：shanghai

省/州：shanghai

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しきい値電流 0.5A レーザーダイオードチップ電力変換効率 58%

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しきい値電流 0.5A レーザーダイオードチップ電力変換効率 58% サブマウント設計の 915nm 10W COS ダイオードレーザーチップレーザーダイオードとシリコンナノワイヤ導波路と光検出器のオンチップ統合が実証されています。GaInNAs/GaAs レーザーダイオードをシリコ...

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レーザーダイオードの電源要求 650nmレーザーダイオードモジュール 980nm 300mwの半導体レーザー

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GaNのエピタキシアル ウエファー

Sicのエピタキシアル ウエファー