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94 μmの半導体レーザーの破片斜面の効率1.0W/Aの波長915nm
Submountの設計の915nm 10W COSのダイオード レーザーの破片
低い電力の消費のために半導体レーザー（LD）からの出力が光学導波管に効率的につながれる、および点サイズのコンバーター（SSC）の有無にかかわらず複数のアプローチが報告したで文献、かすかなカップリングおよびバット接合箇所のカップリングのような、あることは必要である。
但し、高い実用温度の安定したlasing操作はレーザーの性能で悪い熱放散が低下に導くためにある誘電材料で光源以来問題となり普通統合される。フォトディテクター（PDs）はまた探知器材料としてオン破片の統合技術のための主要部分、および両方とも混合の物質的なシステムおよびゲルマニウム（GE）首尾よく雇われたである。
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光学
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中心の波長
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915nm
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出力電力
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10W
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分光幅FWHM
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≤6nm
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斜面の効率
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1.0W/A
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速い軸線の発散
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60Deg
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遅い軸線の発散
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11Deg
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分極モード
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TE
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エミッターのサイズ
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94um
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電気
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境界の流れ
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0.5A
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動作電流
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12A
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作動の電圧
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1.65V
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力の変換効率
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58%
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上昇温暖気流
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実用温度
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15-55℃
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保管温度
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-30-70℃
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波長の臨時雇用者。係数
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0.3nm/℃
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FAQ
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