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3*3mm²*0.3mm 電子グレード単結晶ダイヤモンド、N含有量<100ppb、ヒートシンク用XRD<0.015º
概要
ダイヤモンド合成の CVD 法の著しい進歩により、日常的に調整された特性を備えた放射線検出に適したダイヤモンドを調製することが可能になりました。CVD 法の継続的な改善により、エキサイティングな将来の進歩と、大面積のホモエピタキシャル成長単結晶ダイヤモンド プレート/フィルムが提供されます。CVDダイヤモンドが示す有望な結果により、RFダイオード、BJT、FET、MEMS、および電子産業などの多くのアプリケーションがあります。継続的な革新と持続的な努力は、放射線治療線量計などの医療分野に方向性を与えるでしょう。
仕様
| プロパティ | 合成ダイヤモンド | |
| 密度(g/cm3) | 3.515 | 固有のプロパティ |
| ヤング率(PGa) | 1050 |
機械的性質 |
| 硬度(PGa) |
70~120単結晶 60~100多結晶 |
|
| 破断強度 |
2.5-3G単結晶 200-1100MPa 多結晶 |
|
| 破壊靭性(MPa・m1/2) | 1~8 | |
| 摩擦係数 | 0.1 | |
| 熱伝導率(300K、Wm・K) | 1000~2000年 | 熱特性 |
| 熱膨張係数(×10-6/℃) | 1(室温) | |
| 屈折率(590nm) | 2.4 | 光学特性 |
| 光透過率 | 225nm～遠赤外線 | |
| バンドギャップ幅(ev) | 5.47 | 電気特性 |
| 抵抗率(Ω・cm) | ＞1010 | |
| 電子移動度(cm2/V·s) | 4500 | |
| 穴移動度(cm2/V·s) | 3800 | |
| 誘電率 | 5.5 | 誘電特性 |
| 誘電損失 | ＜2×10-4 |
私たちに関しては
私たちは、さまざまな材料をウェーハ、基板、およびカスタマイズされた光学ガラス部品に加工することを専門としています。これらの部品は、エレクトロニクス、光学、オプトエレクトロニクス、および他の多くの分野で広く使用されています。また、国内外の多くの大学、研究機関、企業と緊密に連携し、研究開発プロジェクト向けにカスタマイズされた製品とサービスを提供しています。私たちの良い評判によって、すべてのお客様と協力関係を維持することが私たちのビジョンです。
よくある質問
Q: あなたは商社ですか、それともメーカーですか?
私たちは工場です。
Q：納期はどのくらいですか？
通常、在庫がある場合は3～5日です。
または、商品が在庫にない場合は、数量に応じて7〜10日です。
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はい、無料でサンプルを提供できますが、運賃はかかりません。
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