6 インチ 4H-SiC 基板 N 型 P-SBD グレード 350.0±25.0μm MPD≤0.5/cm2 抵抗率 0.015Ω•cm—0.025Ω•cm 電力およびマイクロ波デバイス用概要 SiC ブール (結晶) が成長し、インゴットに機械加工され、次に基板にスライスされ、その後研磨されま...

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