4H SiC エピタキシャルウェーハ ≤0.2 /Cm2 150.0 mm +0mm/-0.2mm 47.5 mm ± 1.5 mm JDCD03-001-004 概要エピタキサルウェーハは、発光ダイオード (LED) などの半導体およびフォトニックデバイスの製造に使用するためのエピタキシャル...

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