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Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

シティ：shanghai

省/州：shanghai

国/地域：china

連絡窓口：Xiwen Bai (Ciel)

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企業との接触

5*10mm2 SP表面（10-11） Un-Doped SIタイプの支えがないGaNの単結晶の基質の抵抗> 10 ⁶ Ω·Cm RF装置

製品の詳細

5*10mm2 SP表面（10-11） Un-doped SIタイプの支えがないGaNの単結晶の基質の抵抗> 106 Ω·cm RF装置ウエファー今度はGallium Nitride （GaN）と呼ばれる新しい材料に電子破片の中心としてケイ素を取り替える潜在性がある。ガリウム窒化物はケイ素および流...

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COB SMD LEDチップアルミナ基板にアルミベースLEDMCPCB

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GaNのエピタキシアル ウエファー

Sicのエピタキシアル ウエファー