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SI6926DQ -フェアチャイルドの半導体-は二重N-CHANNEL 2.5V POWERTRENCH MOSFETを指定した
| 高いライト: |
力によって導かれる運転者回路、オフ・ラインの導かれた運転者IC |
||
|---|---|---|---|
速い細部:
二重N-Channel 2.5VはPowerTrench MOSFETを指定した
記述:
このN-Channel 2.5VはMOSFETをであるフェアチャイルドの半導体の高度のPowerTrenchプロセスの険しいゲート版指定した。それはゲート ドライブ電圧（2.5V – 12V）の広い範囲との力管理適用のために最大限に活用された。
適用:
•5.5 A、20 V. RDS （） = 0.021のΩ @ VGS = 4.5ボルト
RDS （） = 0.035のΩ @ VGS = 2.5ボルト
•電池の塗布のための延長VGSSの範囲（±12V）
•低いゲート充満
•非常にのための高性能の堀の技術
低いRDS （）
•控えめなTSSOP-8パッケージ
指定:
| 部品番号。 | SI6926DQ |
| 製造業者 | フェアチャイルドの半導体 |
| 供給の能力 | 10000 |
| 日付コード | 10+ |
| パッケージ | TSSOP-8 |
| 注目 | 新しく、元の在庫 |