Shenzhen Zesheng Semiconductor Technology Co., Ltd.

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SST39VF1601C-70-4I-EKEのフラッシュ・メモリは2.7 Vの集積回路ICの破片を欠く

SST39VF1601C-70-4I-EKEのフラッシュ・メモリは2.7 Vの集積回路ICの破片を欠く
  • SST39VF1601C-70-4I-EKEのフラッシュ・メモリは2.7 Vの集積回路ICの破片を欠く
製品の詳細
新しく、元のSST39VF1601C-70-4I-EKEのICメモリーICは欠ける SST39VF1601CおよびSST39VF1602C装置は多目的抜け目がないプラス(MPF+)が専有SSTと製造した1M x16 CMOS高性能CMOS SuperFlashの技術である。割れ目ゲートの細胞の設計お...
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