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特徴
* -7.5 A, -30 V. RDS ((ON) = 0.030 W @ VGS = -10 V RDS ((ON) = 0.045 W @ VGS = -4.5 V
* 非常に低いRDS (RDS) のための高密度セル設計
* 広く使用されている表面マウントパッケージで,高出力および電流処理能力.
一般説明
パワーSOT Pチャネル増強モードの電源フィールド効果トランジスタは,フェアチャイルド社の独占,高密度細胞,DMOS技術を使用して製造されています.この非常に高密度のプロセスは,特にオン状態の抵抗を最小限に抑え,優れたスイッチングパフォーマンスを提供するために設計されていますこれらのデバイスは,ノートPCの電源管理,電池駆動回路,DCモーター制御などの低電圧アプリケーションに特に適しています.
| シンボル | パラメータ | NDT456P | 単位 |
| VDSS | 排水源電圧 | -30歳 | V |
| VGSS | ゲートソース電圧 | ±20 | V |
| TJ,TSTG | 操作温度帯と貯蔵温度帯 | 65から150 | °C |
| RqJA | 熱耐性,環境との交差点 (1a注) | 42 | °C/W |
| RqJC | 熱耐性,ケースへの接点 (1注) | 12 | °C/W |