ChongMingのグループ(HK)国際的なCo.、株式会社

CHONGMING GROUP (HK) INT'L CO., LTD.

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MT29F64G08CBABAWP:B否定論履積抜け目がないICのメモリー チップ8GX8プラスチックPBF TSOP 3.3Vの大容量記憶装置

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シティ:shenzhen
国/地域:china
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MT29F64G08CBABAWP:B否定論履積抜け目がないICのメモリー チップ8GX8プラスチックPBF TSOP 3.3Vの大容量記憶装置

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型式番号 :MT29F64G08CBABAWP
原産地 :マレーシア
最低順序量 :10pcs
支払の言葉 :T/T、ウェスタン・ユニオン、Paypal
供給の能力 :10000pcs
受渡し時間 :標準的な2-3days
包装の細部 :1000PCS/REEL
記述 :抜け目がない-否定論履積の記憶IC 64Gbit平行48-TSOP I
記憶タイプ :不揮発性
記憶フォーマット :フラッシュ
技術 :フラッシュ-否定論履積
記憶容量 :64Gb (8G X 8)
電圧-供給 :2.7 V | 3.6ボルト
実用温度 :0°C | 70°C (TA)
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MT29F64G08CBABAWP:B ICメモリーチップ NAND FLASH 8GX8 PLASTIC PBF TSOP 3.3V マスストア

特徴

• オープン NAND フラッシュ インターフェイス (ONFI) 1.0対応1

• 単層セル (SLC) テクノロジー

組織 ページサイズ x8: 2112バイト (2048 + 64バイト) ページサイズ x16: 1056語 (1024 + 32語) ブロックサイズ: 64ページ (128K + 4Kバイト) 飛行機サイズ:2つの平面 × 1つの平面あたり 2048個のブロック 装置のサイズ4Gb: 4096ブロック 8Gb: 8192ブロック 16Gb: 16,384ブロック

• アシンクロン I/O 性能 tRC/tWC: 20ns (3.3V), 25ns (1.8V)

• 配列性能 読み込みページ: 25μs 3 プログラムページ: 200μs (TYP: 1.8V, 3.3V) 3 消去ブロック: 700μs (TYP)

• コマンドセット: ONFI NAND フラッシュ プロトコル

• 先進的なコマンドセット プログラムページキャッシュモード4 ページキャッシュモード4 ページキャッシュモード4 一次プログラム可能 (OTP) モード4 双面コマンド4 交差式ダイ (LUN) 操作 唯一IDを読む ブロックロック (1.8Vのみ) 内部データ移動

• 操作状態バイトは,操作完了状態の検出のためのソフトウェア方法を提供します.

準備/忙しい# (R/B#) シグナルは,動作完了を検出するハードウェア方法を提供します.

• WP# 信号: デバイス全体を保護する

製品属性 すべてを選択する
カテゴリー 集積回路 (IC)
  記憶力
製造者 マイクロン・テクノロジー株式会社
シリーズ -
部品のステータス アクティブ
メモリタイプ 不揮発性
メモリ形式 フラッシュ
テクノロジー FLASH - NAND
メモリサイズ 64GB (8G x 8)
サイクルの時間 - 単語,ページ -
メモリインターフェース パラレル
電圧 - 供給 2.7V~3.6V
動作温度 0°C~70°C (TA)

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