ChongMingのグループ(HK)国際的なCo.、株式会社

CHONGMING GROUP (HK) INT'L CO., LTD.

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W25Q80DVSNIGの連続抜け目がない破片3V 8Mビット二重クォードのSpiの記憶集積回路

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シティ:shenzhen
国/地域:china
連絡窓口:MsDoris Guo
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W25Q80DVSNIGの連続抜け目がない破片3V 8Mビット二重クォードのSpiの記憶集積回路

最新の価格を尋ねる
型式番号 :W25Q80DVSSIG
原産地 :台湾
最低順序量 :10pcs
支払の言葉 :T/T、ウェスタン・ユニオン、Paypal
供給の能力 :50000pcs
受渡し時間 :標準的な2-3days
包装の細部 :
記述 :フラッシュ-記憶IC 8Mbit SPI -クォード入力/出力104 MHz 8-SOIC
シリーズ :SpiFlash®
記憶タイプ :不揮発性
記憶フォーマット :フラッシュ
記憶容量 :8Mb (1M x 8)
クロック周波数 :104MHz
周期にタイムの単語、ページを書きなさい :3ms
電圧-供給 :2.7 V | 3.6ボルト
実用温度 :-40°C | 85°C (TA)
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W25Q80DVSSIG IC メモリーチップ 3V 8M-BIT シリアルフラッシュメモリー


特徴

SpiFlash メモリーの家族

W25Q80DV: 8Mビット/1Mバイト (1,048,576) ↓
プログラム可能なページあたり256バイト
標準SPI: CLK,/CS,DI,DO,/WP,/Hold
双SPI: CLK, /CS, IO0, IO1, /WP, /Hold
クアッドSPI: CLK, /CS, IO0, IO1, IO2, IO3
統一4KBセクター,32KB&64KBブロック
最高性能シリアルフラッシュ

104MHzのダブル/クワッドSPIクロック
〜208/416MHz相当のダブル/クアッドSPI
50MB/S の連続データ転送速度

Sソフトウェアとハードウェアの書き込み保護

書き込み保護 メモリ全部または一部
/WPピンで保護を有効/無効にする
上部や下部のマレイ保護
4KB セクターを持つ柔軟なアーキテクチャー

ユニフォームセクター/ブロック消去 (4/32/64kbytes)
プログラム 1 から 256 バイト < 0.8ms
削除/プログラム停止&再開
削除/書き込み回数は10万回以上
20 年以上保存する

低電力,広い温度範囲

単一の2.7〜3.6V電源
◎<1μA 停電 (典型)

空間効率の良いパッケージ (1):

8ピンSOIC 150ミリ/208ミリ VSOP 150ミリ
8パッド WSON 6x5-mm,USON 2x3-mm
8ピンのPDIP 300ミリ 8ボールのWLCSP
KGD と他のオプションについてWinbond に連絡してください
パッケージの種類は 特別注文で注文情報については ウィンボンドに連絡してください


製品属性すべてを選択する
製造者ウィンボンド電子
シリーズスピフラッシュ®
パッケージトューブ
部品のステータスアクティブ
メモリタイプ不揮発性
メモリ形式フラッシュ
テクノロジーFLASH - NOR
メモリサイズ8Mb (1M x 8)
時計の周波数104MHz
サイクルの時間 - 単語,ページ3ms
メモリインターフェースSPI
電圧 - 供給2.7V~3.6V
動作温度-40°C ~ 85°C (TA)
マウントタイプ表面マウント
パッケージ/ケース8-SOIC (0.209",5.30mm 幅)
供給者のデバイスパッケージ8-SOIC
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