ChongMingのグループ(HK)国際的なCo.、株式会社

CHONGMING GROUP (HK) INT'L CO., LTD.

Manufacturer from China
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COP8SCR9HVA8 集積回路チップ 8 ビット CMOS フラッシュベースのマイクロコントローラ、32k メモリ、仮想 EEPROM およびブラウンアウトを搭載

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シティ:shenzhen
国/地域:china
連絡窓口:MsDoris Guo
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COP8SCR9HVA8 集積回路チップ 8 ビット CMOS フラッシュベースのマイクロコントローラ、32k メモリ、仮想 EEPROM およびブラウンアウトを搭載

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型式番号 :COP8SCR9HVA8
原産地 :
最低順序量 :20pcs
支払の言葉 :T/T、ウェスタン・ユニオン、Paypal
供給の能力 :5200PCS
受渡し時間 :1日
包装の細部 :細部については私に連絡しなさい
記述 :IC MCU 8BIT 32KBのフラッシュ44PLCC
供給電圧(VCC :7V
Pinの電圧 :−0.3VへのVCC +0.3V
VCC Pin (源)への総流れ :200 mA
GND Pin (流し)からの総流れ :200 mA
保管温度の範囲 :−65˚Cへの+140˚C
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32k メモリ、仮想 EEPROM、ブラウンアウトを備えた 8 ビット CMOS フラッシュ ベースのマイクロコントローラ


概要

COP8SBR9/SCR9/SDR9 フラッシュ ベースのマイクロコントローラーは、高度に統合された COP8™ フィーチャー コア デバイスで、32k フラッシュ メモリーと、仮想 EEPROM、高速タイマー、USART、ブラウンアウト リセットなどの高度な機能を備えています。このシングルチップ CMOS デバイスは、大容量メモリと低 EMI を備えたフル機能のインシステム再プログラム可能なコントローラを必要とするアプリケーションに適しています。同じデバイスが、さまざまな COP8 ソフトウェアおよびハードウェア開発ツールによる開発、試作、量産に使用されます。

主な特徴

►セキュリティ機能付き32kバイトのフラッシュプログラムメモリ

► フラッシュ プログラム メモリを使用した仮想 EEPROM

►1KBの揮発性RAM

►オンチップボージェネレータを備えたUSART

► フラッシュの 2.7V ~ 5.5V のシステム内プログラマビリティ

► 高耐久性 - 100k 読み取り/書き込みサイクル

►優れたデータ保持 - 100 年

►HALT/IDLEパワーセーブモードによるデュアルクロック動作

ブロック図

絶対最大定格

軍事/航空宇宙指定のデバイスが必要な場合は、入手可能性と仕様について National Semiconductor 営業所/販売代理店にお問い合わせください。

電源電圧(VCC) 7V

任意のピンの電圧 -0.3V ~ VCC +0.3V

VCC ピンへの総電流 (ソース) 200 mA

GND ピンからの総電流 (シンク) 200 mA

保存温度範囲 -65˚C ~ +140˚C

ESD保護レベル 2 kV (人体モデル)

機能の説明

ISP 機能の構成は、ユーザー フラッシュ プログラム メモリ、工場出荷時のブート ROM、および ISP 機能の実行専用のいくつかのレジスタで構成されます。簡略化したブロック図については、図 13 を参照してください。MICROWIRE/PLUS を使用する工場でインストールされた ISP はブート ROM にあります。ブート ROM のサイズは 1K バイトで、システム エミュレーション機能を容易にするコードも含まれています。ユーザーが独自の ISP ルーチンを作成することを選択した場合、それをフラッシュ プログラム メモリに配置する必要があります。

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