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M29W640FB プログラミング Ic チップ 64 Mbit (8Mb x8 または 4Mb x16、ページ、ブート ブロック) 3V 電源フラッシュ メモリ
機能の概要
• 供給電圧
– VCC= プログラム、消去、読み取りの場合は 2.7V ～ 3.6V
– VPP=12 V (高速プログラムの場合) (オプション)
• 非同期ランダム/ページ読み取り
– ページ幅: 4 ワード
– ページアクセス: 25ns
– ランダムアクセス: 60ns、70ns
• プログラミング時間
– バイト/ワードあたり 10 μs (標準)
– 4ワード/8バイトプログラム
• 135 メモリブロック
– 1 つのブート ブロックと 7 つのパラメータ ブロック、それぞれ 8 KB (上部または下部の場所)
– 127 メインブロック、それぞれ 64 KB
• プログラム/消去コントローラー
– 埋め込みバイト/ワードプログラムアルゴリズム
• プログラム/消去の一時停止と再開
– プログラム一時停止中の任意のブロックからの読み取り
– 消去一時停止中に別のブロックを読み取ってプログラムする
• バイパスプログラムのロックを解除するコマンド
– より高速なプロダクション/バッチプログラミング
•VPP高速プログラムおよび書き込み保護用の /WP ピン
• 一時ブロック保護解除モード
• 共通フラッシュインターフェイス
– 64ビットセキュリティコード
• 拡張メモリブロック
– セキュリティブロックとして、または追加情報を保存するために使用される追加ブロック
• 低消費電力
– スタンバイと自動スタンバイ
• ブロックあたり 100,000 プログラム/消去サイクル
• 電子署名
– メーカーコード: 0020h
最大定格
絶対最大定格の表に記載されている定格を超えるストレスをデバイスに与えると、デバイスに永久的な損傷が生じる可能性があります。絶対最大定格条件に長時間さらされると、デバイスの信頼性に影響を与える可能性があります。これらはストレス定格のみであり、これらの条件またはこの仕様の動作セクションに示されている条件を超えるその他の条件でのデバイスの動作は暗示されません。STMicroelectronics SURE プログラムおよびその他の関連する品質文書も参照してください。
絶対最大定格
| シンボル | パラメータ | 分 | マックス | ユニット |
| Tバイアス | バイアス下の温度 | –50 | 125 | ℃ |
| TSTG | 保管温度 | -65 | 150 | ℃ |
| VIO | 入力または出力電圧(1)(2) | –0.6 | VCC+0.6 | V |
| VCC | 供給電圧 | -0.6 | 4 | V |
| VID | 識別電圧 | –0.6 | 13.5 | V |
| VPP (3) | プログラム電圧 | –0.6 | 13.5 | V |
1. 最小電圧は、遷移中および遷移中の 20ns 未満の間、-2V までアンダーシュートする可能性があります。
2. 最大電圧は、遷移中および遷移中の 20ns 未満の間、VCC +2V までオーバーシュートする可能性があります。
3.VPP合計 80 時間を超えて 12V のままにしないでください。
パッケージ
論理図
TSOP接続
TFBGA48 接続(パッケージを通した上面図)