ChongMingのグループ(HK)国際的なCo.、株式会社

CHONGMING GROUP (HK) INT'L CO., LTD.

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半分橋整流器ダイオードの運転者、橋整流器回路IRS21091STRPBF

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シティ:shenzhen
国/地域:china
連絡窓口:MsDoris Guo
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半分橋整流器ダイオードの運転者、橋整流器回路IRS21091STRPBF

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型式番号 :IRS2109
原産地 :日本
最低順序量 :20pcs
支払の言葉 :T/T、ウェスタン・ユニオン、Paypal
供給の能力 :5200PCS
受渡し時間 :1日
包装の細部 :細部については私に連絡しなさい
記述 :半橋ゲートの運転者IC非逆になる8-SOIC
絶対電圧を浮かべる高側 :-0.3 625
高側の浮動の供給のオフセット電圧 :VB - 25 VB + 0.3
高側の浮動の出力電圧 :- 0.3対 VB + 0.3
低側および論理の固定供給電圧 :-0.3 25
低側の出力電圧 :-0.3 VCC + 0.3
プログラム可能なdeadtimeおよび操業停止ピン電圧 :VSS - 0.3 VCC + 0.3
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IRS21091 PbF

HALF-BRIDGEの運転者

特徴

·ブートストラップ操作のために設計されている浮遊チャネル

·+600ボルトに完全に機能した

·否定的で一時的な電圧、免疫があるdV/dtに耐久性がある

·10ボルトからの20ボルトへのゲート ドライブ供給の範囲

·両方のチャネルのための不足電圧閉鎖

·3.3互換性があるV、5ボルトおよび15ボルトの入力論理

·交差伝導の防止の論理

·両方のチャネルのための一致させた伝搬遅延

·入力のとの段階の高側の出力

·論理および力の地面+/- 5ボルトのオフセット

·内部500 nsのdeadtime、

そして1つの外的なRDTの抵抗器を搭載するプログラム可能な5つまでのµs

·よりよいノイズ耐性のためのより低いdi/dtのゲートの運転者

·二重機能DT/SDは消す両方のチャネルを入った

·迎合的なRoHS

記述

IRS21091は高圧の、高速力MOSFETであり、依存した高のIGBTの参照される運転者および低側は出力チャネルを。専有HVICは免疫CMOSの技術の掛け金を降ろすために高耐久化された単一構造を可能にし。論理の入力は3.3ボルトの論理に標準的なCMOSまたはLSTTLの出力と互換性がある。出力運転者は最低の運転者の交差伝導のために設計されている高い脈拍の現在の緩衝段階を特色にする。浮遊チャネルが600までV.作動させる高側の構成のN-channel力MOSFETかIGBTを運転するのに使用することができる。

典型的な関係

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