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FDV305N 20VのN-ChannelのPowerTrenchのMOSFET
概説
この20V N-Channel MOSFETはフェアチャイルドの高圧PowerTrenchプロセスを使用する。それは力管理適用のために最大限に活用された。
適用
•負荷スイッチ
•電池の保護
•力管理
特徴
•0.9 A、20ボルト
RDSの（） = 220 mΩ @ VGS = 4.5ボルト
RDSの（） = 300 mΩ @ VGS = 2.5ボルト
•低いゲート充満
•速い切り替え速度
•極端に低いRDSのための高性能の堀の技術（）
絶対最高評価
| 記号 | 変数 | 評価 | 単位 |
| VDSS | 下水管源の電圧 | 20 | V |
| VGSS | ゲート源の電圧 | ± 12 | V |
| ID |
現在を–連続的流出させなさい –脈打つ |
0.9 2 |
|
| PD | 最高の電力損失 | 0.35 | W |
| TJ、TSTG | 作動および貯蔵の接合部温度の範囲 | – 55から+150 | °C |