FQP50N06L

60V論理のN-Channel MOSFET

概説

これらのN-Channelの強化モード力の電界効果トランジスタは、平面の縞専有、フェアチャイルドDMOSの技術を使用して作り出される。

この先端技術は特にオン州の抵抗を、優秀な転換の性能を提供するために最小にするために合い、なだれおよび代わりモードの高エネルギーの脈拍に抗する。これらの装置は携帯用および電池式プロダクトの力管理のための自動車、DC/DCのコンバーターおよび高性能の切換えのような低電圧の適用のためにうってつけである。

特徴

•52.4A、60V、RDS _（） = 0.021Ω @VGS = 10ボルト

•低いゲート充満（典型的な24.5 NC）

•低いCrss （典型的な90 pF）

•速い切換え

•100%のなだれはテストした

•改善されたdv/dtの機能

•175°C最高の接合部温度の評価

通知がなければ絶対最高評価TC = 25°C

記号	変数	FQP50N06L	単位
VDSS	下水管源の電圧	60	V
ID	現在を-連続的流出させなさい（TC = 25°C） -連続的（TC = 100°C）	52.4
ID	現在を-連続的流出させなさい（TC = 25°C） -連続的（TC = 100°C）	37.1
IDM	現在を-脈打つ流出させなさい（ノート1）	210
VGSS	ゲート源の電圧	± 20	V
EAS	単一の脈打ったなだれエネルギー（ノート2）	990	mJ
IAR	なだれの流れ（ノート1）	52.4
耳	反復的ななだれエネルギー（ノート1）	12.1	mJ
dv/dt	ピークダイオードの回復dv/dt （ノート3）	7.0	V/ns
PD	電力損失（TC = 25°C） - 25°Cの上で軽減しなさい	121	W
PD	電力損失（TC = 25°C） - 25°Cの上で軽減しなさい	0.81	With°C
TJ、TSTG	作動し、保管温度の範囲	-55から+175	°C
TL	はんだ付けする目的のための最高の鉛の温度、5秒の言い分からの1/8"	300	°C

パッケージ次元

TO-220

商品のタグ：

p55nfo power mosfet

2sa1535 pnp power transistor

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