ChongMingのグループ(HK)国際的なCo.、株式会社

CHONGMING GROUP (HK) INT'L CO., LTD.

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CY7C433-20JXCの集積回路の破片のオリジナルの集積回路

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ChongMingのグループ(HK)国際的なCo.、株式会社
シティ:shenzhen
国/地域:china
連絡窓口:MsDoris Guo
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CY7C433-20JXCの集積回路の破片のオリジナルの集積回路

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型式番号 :CY7C433-20JXC
原産地 :元の工場
最低順序量 :10pcs
支払の言葉 :T/T、ウェスタン・ユニオン、Paypal
供給の能力 :7300pcs
受渡し時間 :1日
包装の細部 :細部については私に連絡しなさい
記述 :IC先入れ先出し法ASYNC 4KX9 20NS 32PLCC
保管温度 :– 65°Cへの+150°C
応用力の周囲温度 :– 55°Cへの+125°C
潜在性をひく供給電圧 :– 0.5Vへの+7.0V
電圧をDC入力 :– 0.5Vへの+7.0V
電力損失 :1.0W
出力への出力電流、(低い) :20 mA
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標準的な提供(熱い販売法)

部品番号。 ブランド D/C パッケージ
CS4344-CZZR 3800 毛状突起 16+ MSOP
LTC1844ES5-3.3 3800 線形 16+ SOT23-5
MC33039P 3800 13+ DIP-8
MMA7660FCR1 3800 FREESCALE 15+ DFN-10
NLV32T-100J-PF 3800 TDK 16+ SMD
PC401 3800 シャープ 16+ SOP-5
SN75179BP 3800 チタニウム 14+ DIP8
STP10NK70ZFP 3800 ST 14+ TO-220
UC3842BD1R2G 3800 14+ SOP-8
LM393DR 3810 チタニウム 16+ SOP8
BZX84-C18 3820 16+ SOT-23
LPC2136FBD64 3820 13+ TQFP-64
LP3982IMMX-2.5 3821 NS 15+ MSOP8
TOP224PN 3821 16+ DIP-8
TLP121 3822 東芝 16+ SOP-4
IRF4905 3870 IR 14+ TO-220
MC3403 3870 14+ SOP-14
P2504EDG 3870 INKO 14+ TO-252
STB16NS25 3870 ST 16+ TO-263
SSM3K7002FU 3871 東芝 16+ SOT323
3122V 3880 鳥取三洋電機 13+ TO-3P
CD4017BCN 3880 NSC 15+ すくい
MIC842LYC5 3880 MICREL 16+ SC70-5
IMZ2A 3887 ROHM 16+ SOT-163
EPCS4SI8N 3888 ALTERA 14+ SOP-8
SN74LVC1T45DCK 3888 チタニウム 14+ SC-70-6
UCC2813D-2 3888 チタニウム 14+ SOP8
2SC4552 3900 NEC 16+ TO-220
MC14551BDR2G 3900 16+ SOP16
MX29LV040CQC-70G 3900 MXIC 13+ PLCC

CY7C419/21/25/29/33

256/512/1K/2K/4K X 9非同期先入れ先出し法

特徴

•非同期先入れ/先出し最初の(先入れ先出し法)緩衝記憶

•256 x 9 (CY7C419)

•512 x 9 (CY7C421)

•1K X 9 (CY7C425)

•2K X 9 (CY7C429)

•4K X 9 (CY7C433)

•デュアルポートのRAMの細胞

•深さ/幅の高速50.0 MHz読み書き独立者

•低い作動力:ICC = 35 mA

•空および完全な旗(独立の半分入った旗)

•互換性があるTTL

•独立で再送信しなさい

•幅で拡張できる

•PLCC、7x7 TQFP、SOJ、300ミルおよび600ミルすくい

•利用できるPbなしのパッケージ

•IDT7200、IDT7201、IDT7202、IDT7203、IDT7204、AM7200、AM7201、AM7202、AM7203およびAM7204と互換性があり、機能的に類似したPin

機能の記述

CY7C419、CY7C420/1、CY7C424/5、CY7C428/9およびCY7C432/3は600ミル広く提供される先入れ/先出し最初の(先入れ先出し法)記憶および300ミル広いパッケージでである。それらはワード9ビットによって広く行い、それぞれ、256、512、1,024、2,048、そして4,096。各先入れ先出し法の記憶は書かれていたことデータが同じ順序で読まれること整頓されていたそのようなである。完全な、空の旗は過剰運転およびunderrunを防ぐために提供される。3つの付加的なピンはまた幅、深さ、または両方の無制限の拡張を促進するために提供される。従って深さの拡張の技術は効率が減らないように、1つの装置からの別のものに制御信号を並行して操縦し、伝搬遅延の逐次加算を除去する。データは同じような方法で操縦される。

読書は操作を書くために非同期であり、;それぞれは50.0 MHzのレートで起こることができる。(w)信号を低い書きなさい時操作を起こる書きなさい。読書は読まれた(r)が低く行くと起こる。Rが高い場合の9データ出力high-impedance州に行くため。

半分入った(HF)出力旗は独立および幅の拡張構成で有効ならある。深さの拡張構成では、このピンは活動化させることを次の先入れ先出し法に告げるのに使用されている拡張(XO)情報を提供する。

独立および幅の拡張構成では、の低速は(RT)入力をデータを再送信するためにもたらすFIFOsを再送信する。読まれる(r)を可能にすれば(w)を可能にするために書くことは再送信する高くなければの間になり、データにアクセスするのにそれからRが使用されている。

CY7C419、CY7C420、CY7C421、CY7C424、CY7C425、CY7C428、CY7C429、CY7C432およびCY7C433は0.65ミクロンのP-well高度CMOSの技術を使用して製造される。入れられたESDの保護は2000Vおよびlatch-upが注意深いレイアウトおよび監視リングによって防がれるより大きい。

最高の評価[1]

(上で損なわれる有用な生命がかもしれない。ユーザーの指針のため、テストされない。)

保管温度................................. – 65°Cへの+150°C

周囲温度との

+125°Cへの力応用............................................. – 55°C

潜在性............... – 0.5Vに+7.0Vをひく供給電圧

出力に適用されるDC電圧

高いZの状態................................................ – 0.5Vへの+7.0V

電圧............................................ – 0.5Vに+7.0VをDC入力

電力損失..........................................................1.0W

出力への出力電流、(低く) ............................20 mA

静電気放電の電圧............................................>2000V

(MIL-STD-883の方法3015ごとに)

現在のLatch-Up .....................................................>200 mA

注:1.単一の電源:あらゆる入力または入力/出力ピンの電圧はパワーアップの間に力ピンを超過できない。

動作範囲

範囲 周囲温度[2] VCC
コマーシャル 0°Cへの+ 70°C 5V ± 10%
産業 – 40°Cへの+85°C 5V ± 10%
– 55°Cへの+125°C 5V ± 10%

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