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3 年
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標準的な提供（熱い販売法）
| 部品番号。 | 量 | ブランド | D/C | パッケージ |
| SN74HC541PW | 39000 | チタニウム | 07+ | TSSOP-20 |
| SN74HC541PWR | 87000 | チタニウム | 04+ | TSSOP-20 |
| SN74HC573AN | 9373 | チタニウム | 16+ | DIP-20 |
| SN74HC574N | 9444 | チタニウム | 16+ | SOP-20 |
| SN74HC590AN | 10493 | チタニウム | 15+ | DIP-16 |
| SN74HC595DWR | 17609 | チタニウム | 02+ | SOP-16 |
| SN74LS04N | 11203 | チタニウム | 15+ | SOP-14 |
| SN74LS05N | 7457 | チタニウム | 95+ | SOP-14 |
| SN74LS07DR | 9255 | チタニウム | 16+ | SOP-14 |
| SN74LS07N | 14682 | チタニウム | 16+ | DIP-14 |
| SN74LS132N | 7428 | チタニウム | 14+ | DIP-14 |
| SN74LS138DR | 8860 | チタニウム | 16+ | SOP-16 |
| SN74LS138N | 4238 | チタニウム | 15+ | DIP-16 |
| SN74LS145DR | 11984 | チタニウム | 13+ | SOP-16 |
| SN74LS148DR | 16244 | チタニウム | 93+ | SOP-16 |
| SN74LS153N | 6801 | チタニウム | 84+ | DIP-16 |
| SN74LS194N | 5146 | チタニウム | 15+ | DIP-16 |
| SN74LS240DWR | 8481 | チタニウム | 16+ | SOP-20 |
| SN74LS247N | 10272 | チタニウム | 12+ | DIP-16 |
| SN74LS279ADR | 4087 | チタニウム | 10+ | SOP-16 |
| SN74LS373N | 11274 | チタニウム | 15+ | DIP-20 |
| SN74LS374N | 10564 | チタニウム | 14+ | DIP-20 |
| SN74LS76AN | 6267 | チタニウム | 16+ | DIP-16 |
| SN74LS83N | 10343 | チタニウム | 13+ | DIP-16 |
| SN74LS86AN | 16315 | チタニウム | 14+ | DIP-14 |
| SN74LV244ADWR | 100000 | チタニウム | 13+ | SOP-20 |
| SN74LV245ADWR | 23344 | チタニウム | 12+ | SOP-20 |
| SN74LV4052ADR | 35000 | チタニウム | 16+ | SOP-16 |
| SN74LVC04ADR | 9000 | チタニウム | 16+ | SOP-14 |
| SN74LVC07ADR | 64000 | チタニウム | 16+ | SOP-14 |
74HC1G125;74HCT1G125
バス緩衝/ライン・ドライバ;3州
特徴
•2.0からの6.0ボルトへの広い供給電圧の範囲
•対称の出力インピーダンス
•高いノイズ耐性
•低い電力の消滅
•釣り合った伝搬遅延
•非常に小さい5つのピン パッケージ
•出力機能:バス運転手。
記述
74HC1G/HCT1G125は高速SiゲートCMOS装置である。
74HC1G/HCT1G125は3州の出力を1つの非逆になる緩衝/ライン・ドライバ与える。3州の出力は出力によって可能にする入力ピン（OE）を制御される。ピンOEの最高により出力をとして仮定するhigh-impedanceオフ状態引き起こす。
74HC/HCT125と比較されるバス運転手の出力電流は等しい。
限界値
絶対最高評価システム（IEC 60134）に従って;電圧はGND （地面= 0 V）に参照される。
| 記号 | 変数 | 条件 | MIN. | MAX. | 単位 |
| VCC | 供給電圧 | −0.5 | +7.0 | V | |
| IIK | 入力ダイオード流れ | VI<> 私> VCCの+ 0.5ボルト;ノート1 | − | ±20 | mA |
| IOK | 出力ダイオード流れ | VO<> O > VCCの+ 0.5ボルト;ノート1 | − | ±20 | mA |
| IO | 出力源か流しの流れ | −0.5 V < V="">O < V="">CC + 0.5ボルト;ノート1 | − | ±12.5 | mA |
| ICC | 現在のVCCまたはGND | ノート1 | − | ±25 | mA |
| Tstg | 保管温度 | −65 | +150 | °C | |
| PD | パッケージ1個あたりの電力損失 | −40からの+125 °Cへの温度較差のため;ノート2 | − | 200 | MW |
ノート
1. 入出力電圧評価は入出力現在の評価が観察されれば超過するかもしれない。
2. 55 °Cの上でPDの価値は2.5 mW/K.と直線に軽減する。