LM5010MH 電子 IC チップ高電圧スイッチングレギュレータ

株式公開（ホットセル）

LM5010 高電圧 1A 降圧スイッチングレギュレータ

概要

LM5010 降圧スイッチング レギュレータは、1A を超える負荷電流を供給できる低コストで効率的な降圧バイアス レギュレータを実装するために必要な機能をすべて備えています。この高電圧レギュレータには N チャネル降圧スイッチが含まれており、熱強化された LLP-10 および TSSOP-14EP パッケージで入手できます。ヒステリシス調整方式ではループ補償が不要なため、負荷過渡応答が高速になり、回路の実装が簡素化されます。

入力電圧とオン時間の間には反比例の関係があるため、動作周波数はラインおよび負荷の変動に対して一定に保たれます。谷電流制限検出は 1.25A に設定されています。追加機能は次のとおりです。_CC不足電圧ロックアウト、サーマルシャットダウン、ゲートドライブ不足電圧ロックアウト、および最大デューティサイクルリミッタ。

特徴

• 入力電圧範囲: 8V ～ 75V
• 1.25Aでの谷電流制限
• スイッチング周波数は1MHzを超える可能性があります
• 統合された N チャネル降圧スイッチ
• 統合されたスタートアップレギュレーター
• ループ補償は不要

• 超高速過渡応答
• 負荷やラインが変動しても動作周波数は一定に保たれます
• 起動時に最大デューティ サイクルが制限される
• 調整可能な出力電圧
• 高精度 2.5V フィードバックリファレンス
• サーマルシャットダウン

代表的なアプリケーション

• 高効率ポイントオブロード (POL) レギュレータ
• 非絶縁通信用降圧レギュレータ
• 二次高電圧ポストレギュレータ
• 自動車システム

パッケージ

• LLP-10(4mm×4mm)
• TSSOP-14EP
• どちらのパッケージも熱放散を向上させるためにサーマルパッドが露出しています

絶対最大定格(注1)

軍事/航空宇宙指定のデバイスが必要な場合は、入手可能性と仕様について National Semiconductor 営業所/販売代理店にお問い合わせください。

V_のGNDへ 76V

BST～GND 90V

SW から GND (定常状態) -1.5V

BSTからVへ_CC76V

BSTからSW 14V

V_CCGNDへ14V

S_GNDRTN -0.3V ～ +0.3V

SS～RTN -0.3V～4V

V_のSW76Vまで

I からの電流_セン本文を参照

他のすべての入力を GND に -0.3 ～ 7V

ESD定格(注2)

人体モデル 2kV

保存温度範囲 -55˚C ～ +150˚C

リード温度(はんだ付け4秒)(注4) 260℃

動作定格(注1)

V_の8V～75V

動作接合部温度 -40˚C ～ + 125˚C

注 1: 絶対最大定格は、それを超えるとデバイスに損傷が発生する可能性がある制限です。動作定格は、デバイスの動作が機能することを意図した条件です。保証仕様および試験条件については「電気的特性」を参照してください。

注 2: 人体モデルは、1.5kΩ 抵抗を介して各ピンに放電される 100pF コンデンサです。

Note 3: VCC は、内部ゲート駆動および制御回路にバイアスを提供します。デバイスの熱制限により、外部負荷が制限されます。

注 4: プラスチック TSSOP および LLP パッケージのはんだ付けの詳細については、National Semiconductor Corporation から入手可能な Packaging Data Book を参照してください。

基本的な降圧レギュレータ

接続図